Garbitasun handiko lata

Deskribapena

Garbitasun handiko Tin Sn5N 6N 7N metal solido leun eta usainik gabeko distiratsu zuri zilarrezkoa da 118,71 pisu atomikoa duena, 7,28 g/cm-ko dentsitatea duena³eta urtze-puntua 231,88 °C, uretan disolbaezina baina ur beroan apur bat disolbagarria eta azido klorhidriko diluituan disolbagarria, eta egonkorra airean eztainu oxidoaren babes-film geruza bat sortzeko, baina oxidazio-erreakzioa bizkortzen da berotzean.Garbitasun handiko lata barran, lingotean eta tiro egin daiteke fintze-prozesuaren eta zona-flotantearen edo kristalen hazkuntza-teknikaren bidez % 99,999, % 99,9999 eta % 99,99999 mailara aplikazio zirraragarri askotarako.

Tin Shot (lata-pellet, granulatu, alea, bola)Usainik gabeko eta zilarrezko zuri distiratsu leun solidoa da, begi malkoaren % 99,9ko jaurtiketa, % 99,99ko garbitasuna, garbitasun handiko jaurtiketa % 99,999ko, % 99,9999ko garbitasuna 1-6 mm-ko diametroan.Urtutako tanta, kondentsazio eta granulazioan sortutako eztainua, pellet, granuloa, alea, bola, kalitate handiko eztainua lortzeko granulazio tamaina uniformearekin, irregulartasun txikiarekin eta gainazal leunarekin.

Entrega

Garbitasun handiko Tin Sn 5N 6N 7N Western Minmetals (SC) Corporation-en % 99,999 % 99,9999 eta % 99,99999ko purutasunarekin pikor, zati, plano, lingote 500 g edo 1000 g, barra eta kristalaren tamainan entregatu daiteke.Tin Shot 3N 4N (Tin pellet, granulatu, alea, bola) % 99,9 eta % 99,99 purutasun mailarekin ere eskain daiteke.Hainbat mailatako lata-produktuak aluminiozko poltsa konposatuan ontziratzen dira kanpoan kartoizko kaxa duten edo zehaztapen pertsonalizatu gisa irtenbide ezin hobea lortzeko.

Kontsulta orain

Xehetasunak

Etiketak

Zehaztapen Teknikoa

Sn

Zenbaki atomikoa.	50
Pisu atomikoa	118,71
Dentsitatea	7,31 g/cm³
Urtze-puntua	231,9 °C
Irakite Puntua	2270 °C
CAS zenbakia.	7440-31-5
HS kodea	8007.0090.00

Salgaia	Zehaztapen estandarra
	Garbitasuna		Zikinkeria (ICP-MS edo GDMS Proba Txostena, PPM Max bakoitza)
Garbitasun handiaLata	5N	%99,999	Co/Au 0,1, In/Si/S 0,2, Al/Ag/Cu/Mg/Ni/Ca/Fe/Zn/Bi/Sb 0,5, Pb/As 1,0	Guztira ≤10
	6N	%99,9999	Co/Ag/Au 0,01, Cu/Al/Mg/Ni/Pb/Ca/Fe/Zn 0,05	Guztira ≤1,0
	7N	%99,99999	Ag/Cu/Au 0,001, Al/Mg/Ni 0,005, Ca/Fe 0,01, Zn 0,02	Guztira ≤0,1
	Tamaina		1-6 mm-ko planoa, (50x14x14)/50 g barra edo (100x50x30)/1 kg barra, lingote
	Enbalatzea		1 kg edo 1 pieza hutsean itxitako plastikozko poltsa batean dago, kanpoan kartoizko kutxan
Tin Shot	3N	%99,90	As/Cu/Cd 80, Fe 70, Pb 320, Bi 150, Sb 200, Zn/Al 10, S 5, Ag/Ni+Co 50	Pellet/Tiro
	4N	%99,99	As/Cu/Al 5.0, Fe 20, Pb 35, Bi 25, Sb 15, Cd/Zn/S 3.0, Ag 1.0, Ni+Co 6.0	Pellet/tiro
	Tamaina		1-6 mm-ko planoa edo pikorduna begi malko formarekin
	Enbalatzea		20 kg barnean plastikozko poltsa itxian kontratxapatua edo kanpoan kartoizko kaxa batekin.

Garbitasun handiko Tin 5N 6N 7NWestern Minmetals (SC) Corporation-en % 99,999 % 99,9999 eta % 99,99999ko garbitasunarekin 1-6 mm-ko planoan, 50 g, 500 g edo 1000 g bar eta kristal moduan entregatu daitezke.

Tin Shot (Latorrizko pellet, granulatu, alea, bola) 3N 4N% 99,9 eta % 99,99ko garbitasun maila duen begi malko formarekin ere eskain daiteke.

Hainbat mailatako lata-produktuak aluminiozko poltsa konposatuan ontziratzen dira kanpoan kartoizko kaxa duten edo zehaztapen pertsonalizatu gisa irtenbide ezin hobea lortzeko.

Garbitasun handiko latahainbat formatan oso erabilia da teknologia aurreratuetan, hala nola informazio elektronikoa, aeroespaziala eta industria nuklearra.Garbitasun handiko eztainua % 99,99, % 99,999, % 99,9999 eta % 99,99999 PVD, MBE, E-beam eta hutsean deposizio teknologiaren bidez film mehe deposizio aurreratuaren iturri funtsezko material bihurtzen dira, eta ITO hauts eta xede, material erdieroale konposatuetarako erabiltzen da. eztainu seleniuroa SnSe eta eztainu telururoa SnTe eta abar, purutasun handiko aleazioak, material supereroaleak, soldadura elektronikoetarako aleazio gehigarria, beira flotagarriaren ekoizpena, estaldura materiala, automobilgintzarako tenperatura altuko piezak erresistenteak eta silizio eta germanio kristal bakarreko dopatzaile gisa. industria elektronikoaren hazkundea.