Indio Arsenuroa InAs

Deskribapena

Indio arseniuroa InAs kristala III-V taldeko erdieroale konposatu bat da, gutxienez 6N 7N indio eta artseniko elementu hutsez sintetizatua eta VGF edo Liquid Encapsulated Czochralski (LEC) prozesu bidez hazitako kristal bakarrean, kolore grisaren itxura, zink-nahasketa egitura duten kristal kubikoak. , 942 °C-ko urtze-puntua.Indio arseniuroaren banda-hutsunea galio arseniuroaren berdin-berdina da trantsizio zuzena, eta debekatutako banda-zabalera 0,45eV (300K) da.InAs kristalak parametro elektrikoen uniformetasun handia, sare konstantea, elektroien mugikortasun handia eta akatsen dentsitate txikia ditu.VGF edo LEC-ek hazitako InAs kristal zilindriko bat xerratan moztu eta fabrikatu daiteke, moztu, grabatu, leundu edo epitaxial MBE edo MOCVD hazkuntza epitaxialerako prest.

Aplikazioak

Indio arseniurozko kristalezko olatua Hall gailuak eta eremu magnetikoko sentsoreak egiteko substratu bikaina da bere aretoko mugikortasun gorenerako baina energia banda estua lortzeko, material ezin hobea da potentzia handiagoko aplikazioetan erabiltzen den 1-3,8 µm-ko uhin-luzera duten infragorrien detektagailuak eraikitzeko. giro-tenperaturan, baita uhin-luzera ertaineko infragorri super sareko laserrak ere, infragorri ertaineko LED gailuak fabrikatzeko bere 2-14 μm-ko uhin-luzerarako.Gainera, InAs substratu aproposa da InGaAs, InAsSb, InAsPSb eta InNAsSb edo AlGaSb super sarearen egitura heterogeneoei eusteko.

Kontsulta orain

Xehetasunak

Etiketak

Zehaztapen Teknikoa

Indio arseniuroa

InAs

Indio arseniuroa kristalezko ostiaHall gailuak eta eremu magnetikoaren sentsoreak egiteko substratu bikaina da bere aretoko mugikortasun gorenerako baina energia-banda-gap estuagatik, 1-3,8 µm-ko uhin-luzera duten infragorri detektagailuak eraikitzeko material ezin hobea da potentzia handiagoko aplikazioetan giro-tenperaturan erabiltzen dena. baita uhin-luzera ertaineko infragorri super sareko laserrak ere, 2-14 μm-ko uhin-luzerarako LED infragorri ertaineko gailuen fabrikazioa.Gainera, InAs substratu aproposa da InGaAs, InAsSb, InAsPSb eta InNAsSb edo AlGaSb super sarearen egitura heterogeneoei eusteko.

Ez.	Elementuak	Zehaztapen estandarra
1	Tamaina	2"	3"	4"
2	Diametroa mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Hazkuntza Metodoa	LEC	LEC	LEC
4	Eroankortasuna	P mota/Zn dopatua, N mota/S dopatua, Dopatu gabekoa
5	Orientazio	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Lodiera μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientazioa Laua mm	16±2	22±2	32±2
8	Identifikazioa Laua mm	8±1	11±1	18±1
9	Mugikortasun cm2/Vs	60-300, ≥2000 edo behar bezala
10	Eramailearen kontzentrazioa cm-3	(3-80)E17 edo ≤5E16
11	TTV μm max	10	10	10
12	Branka μm max	10	10	10
13	Warp μm max	15	15	15
14	Dislokazio-dentsitatea cm-2 max	1000	2000	5000
15	Azalera akabera	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Enbalatzea	Aluminiozko poltsan zigilatua.

Formula lineala	InAs
Pisu Molekularra	189,74
Kristalezko egitura	Zink nahastea
Itxura	Solido kristalino grisa
Urtze-puntua	(936-942)°C
Irakite Puntua	N/A
300K-ko dentsitatea	5,67 g/cm³
Energia-hutsunea	0,354 eV
Berezko erresistentzia	0,16 Ω-cm
CAS zenbakia	1303-11-3
EC zenbakia	215-115-3

Indio Arsenuroa InAsWestern Minmetals-en (SC) Corporation-en 2" 3" eta 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametroko ostia polikristalino gisa edo kristal bakarrean moztuta, grabatuta, leundua edo epi-prest dagoen ostia gisa horni daiteke, eta p motako, n motako edo dopatu gabeko eroankortasuna eta <111> edo <100> orientazioa.Pertsonalizatutako zehaztapena mundu osoko gure bezeroentzako irtenbide ezin hobea da.