Indio Antimonidoa InSb

Deskribapena

Indium Antimonide InSb, zink-blenda-sare egitura duten III-V taldeko konposatu kristalinoen erdieroalea, 6N 7N purutasun handiko indio eta antimonio elementuen bidez sintetizatzen da, eta kristal bakarreko VGF metodoaren bidez edo Czochralski LEC likido enkapsulatu metodoaren bidez hazi da zona anitzeko lingote polikristalino findutik, xerratan moztu eta fabrikatu daitekeen ostia eta blokeatu ondoren.InSb trantsizio zuzeneko erdieroale bat da, 0,17eV-ko banda estua giro-tenperaturan, 1-5μm-ko uhin-luzerarako sentikortasun handia eta areto-mugikortasun oso handia duena.Indio Antimonidoa InSb n motako, p motako eta erdi isolatzaileen eroankortasuna Western Minmetals (SC) Corporation-en 1″ 2″ 3″ eta 4" (30mm, 50mm, 75mm, 100mm) diametroan eskain daiteke, orientazioa < 111> edo <100>, eta obleen gainazaleko akaberarekin, moztuta, lapatuta, grabatuta eta leundua.Indio Antimonidoa InSb Dia.50-80mm-ko helburua dopatu gabeko n-mota ere eskuragarri dago.Bien bitartean, polikristalino indio antimonioa InSb (kristal anitzeko InSb) pikor irregular baten tamainarekin, edo hutsik (15-40) x (40-80) mm-ko eta D30-80mm-ko barra biribila ere pertsonalizatzen dira irtenbide ezin hobea eskatuz gero.

Aplikazio

Indio Antimonidoa InSb punta-puntako osagai eta gailu asko ekoizteko substratu ezin hobea da, hala nola, irudi termikoen irtenbide aurreratua, FLIR sistema, hall elementua eta magnetoresistentzia efektuaren elementua, homing infragorri misilen gidatzeko sistema, erantzun handiko infragorri fotodetektagailuaren sentsore. , doitasun handiko erresistibitate magnetiko eta birakaria sentsore, foku-matrize planoak, eta terahertz erradiazio-iturri gisa eta infragorri astronomiko espazioko teleskopioan etab.

Kontsulta orain

Xehetasunak

Etiketak

Zehaztapen Teknikoa

Indio Antimoniroa

InSb

Indio Antimoniroa Substratua(InSb substratua, InSb ostia) Western Minmetals (SC) Corporation-en n-mota edo p-mota 1" 2" 3" eta 4" (30, 50, 75 eta 100 mm) diametroko tamainan eskain daiteke, orientazioa <111> edo <100>, eta akabera lapatu, grabatu eta leundutako ostia gainazalarekin.Indio Antimonidoa kristal bakarreko barra (InSb monokristalezko barra) ere eska daiteke.

Indio AntimoniroaPOlikristalinoa (InSb Polikristalinoa edo InSb multikristalina) pikor irregularren tamaina duten edo hutsunea (15-40) x (40-80) mm-ko ere pertsonalizatzen dira irtenbide ezin hobea eskatuz gero.

Bien bitartean, indio antimonidoaren helburua (InSb Helburua) Dia.50-80mm-koa dopatu gabeko n-mota duena ere eskuragarri dago.

Ez.	Elementuak	Zehaztapen estandarra
1	Indio Antimoniroa Substratua	2"	3"	4"
2	Diametroa mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Hazkuntza Metodoa	LEC	LEC	LEC
4	Eroankortasuna	P mota/Zn,Ge dopatua, N mota/Te dopatua, Dopatua gabea
5	Orientazio	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Lodiera μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientazioa Laua mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikazioa Laua mm	8±1	11±1	18±1
9	Mugikortasun cm2/Vs	1-7E5 N/dopatu gabekoa, 3E5-2E4 N/Te dopatua, 8-0.6E3 edo ≤8E13 P/Ge dopatua
10	Eramailearen kontzentrazioa cm-3	6E13-3E14 N/dopatu gabekoa, 3E14-2E18 N/Te dopatua, 1E14-9E17 edo <1E14 P/Ge dopatua
11	TTV μm max	15	15	15
12	Branka μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dislokazio-dentsitatea cm-2 max	50	50	50
15	Azalera akabera	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Enbalatzea	Aluminiozko poltsan zigilatua.

Ez.	Elementuak	Zehaztapen estandarra
Ez.	Elementuak	Indium Antimonido Polikristalinoa	Indio Antimoniroa Helburua
1	Eroankortasuna	Dopatua	Dopatua
2	Eramailearen kontzentrazioa cm^-3	6E13-3E14	1.9-2.1E16
3	Mugikortasuna cm²/Vs	5-7E5	6.9-7.9E4
4	Tamaina	15-40x40-80 mm	D(50-80) mm
5	Enbalatzea	Aluminiozko poltsa konposatuan, kanpoan kartoizko kaxa

Formula lineala	InSb
Pisu Molekularra	236,58
Kristalezko egitura	Zink nahastea
Itxura	Metalezko kristal gris ilunak
Urtze-puntua	527 °C
Irakite Puntua	N/A
300K-ko dentsitatea	5,78 g/cm³
Energia-hutsunea	0,17 eV
Berezko erresistibitatea	4E(-3) Ω-cm
CAS zenbakia	1312-41-0
EC zenbakia	215-192-3

Indio Antimonidoa InSbostia goi-mailako osagai eta gailu asko ekoizteko substratu ezin hobea da, hala nola irudi termikoen irtenbide aurreratua, FLIR sistema, hall elementua eta magnetoresistentzia efektuaren elementua, homing infragorri misilen gidatzeko sistema, erantzun handiko infragorrien fotodetektagailuaren sentsore, altua. -Doitasun magnetiko eta birakaria erresistibitate sentsore, foku plano-array, eta, gainera, terahertz erradiazio-iturri gisa eta infragorri espazio teleskopio astronomiko eta abar gisa egokituta.