Galio Antimonidoa GaSb

Deskribapena

Galio Antimonidoa GaSb, zink-blenda-sare egitura duten III-V taldeko konposatuen erdieroalea, 6N 7N purutasun handiko galio eta antimonio elementuen bidez sintetizatzen da, eta LEC metodoaren bidez kristal bihurtzen da norabide izoztutako lingote polikristalinotik edo VGF metodotik EPD<1000cm-arekin^-3.GaSb ostia lingote kristalino bakarretik moztu eta fabrika daiteke, parametro elektrikoen uniformetasun handiarekin, sare-egitura bakar eta konstanteekin eta akatsen dentsitate baxuarekin, beste konposatu ez-metaliko gehienek baino errefrakzio-indize handienarekin.GaSb aukera zabalarekin prozesatu daiteke orientazio zehatzean edo desegokian, dopatutako kontzentrazio baxuan edo altuan, gainazaleko akabera onarekin eta MBE edo MOCVD epitaxial hazkuntzarako.Galio Antimonidoaren substratua aplikazio fotooptiko eta optoelektronikoenetan erabiltzen ari da, hala nola, argazki-detektagailuen fabrikazioan, iraupen luzeko detektagailu infragorriak, sentsibilitate eta fidagarritasun handikoak, erresistentzia osagaia, LED infragorriak eta laserrak, transistoreak, zelula fotovoltaiko termikoa. eta sistema termo-fotovoltaikoak.

Entrega

Gallium Antimonide GaSb Western Minmetals (SC) Corporation-en n motako, p motako eta dopatu gabeko eroankortasun erdi-isolatzailearekin eskain daiteke 2" 3" eta 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametroko tamainan, orientazioa <111> edo <100>, eta akabera gisa moztutako, grabatu, leundu edo kalitate handiko epitaxia prest dauden obleen gainazaleko akaberarekin.Xerra guztiak banan-banan laser bidez idatzita daude identitatea lortzeko.Bien bitartean, gallio polikristalinoa antimonioa GaSb koskorra ere pertsonalizatzen da irtenbide ezin hobea eskatuz gero.

Kontsulta orain

Xehetasunak

Etiketak

Zehaztapen Teknikoa

Galio Antimonidoa

GaSb

Galio Antimonidoa GaSbsubstratua aplikazio foto-optiko eta optoelektronikoenetan erabiltzen ari da, hala nola, argazki-detektagailuak, iraupen luzeko detektagailu infragorriak, sentsibilitate eta fidagarritasun handikoak, fotorresistentzia osagaiak, LED infragorriak eta laserrak, transistoreak, zelula fotovoltaiko termikoak eta termo-zelula. -sistema fotovoltaikoak.

	Elementuak	Zehaztapen estandarra
1	Tamaina	2"	3"	4"
2	Diametroa mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Hazkuntza Metodoa	LEC	LEC	LEC
4	Eroankortasuna	P mota/Zn dopatua, Dopatu gabekoa, N motakoa/Te dopatua
5	Orientazio	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Lodiera μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientazioa Laua mm	16±2	22±1	32,5±1
8	Identifikazioa Laua mm	8±1	11±1	18±1
9	Mugikortasun cm2/Vs	200-3500 edo behar bezala
10	Eramailearen kontzentrazioa cm-3	(1-100)E17 edo behar bezala
11	TTV μm max	15	15	15
12	Branka μm max	15	15	15
13	Warp μm max	20	20	20
14	Dislokazio-dentsitatea cm-2 max	500	1000	2000
15	Azalera akabera	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Enbalatzea	Aluminiozko poltsan zigilatua.

Formula lineala	GaSb
Pisu Molekularra	191.48
Kristalezko egitura	Zink nahastea
Itxura	Solido kristalino grisa
Urtze-puntua	710 °C
Irakite Puntua	N/A
300K-ko dentsitatea	5,61 g/cm³
Energia-hutsunea	0,726 eV
Berezko erresistibitatea	1E3 Ω-cm
CAS zenbakia	12064-03-8
EC zenbakia	235-058-8

Galio Antimonidoa GaSbWestern Minmetals (SC) Corporation-en n motako, p motako eta dopatu gabeko eroankortasun erdi-isolatzailearekin eskain daiteke 2" 3" eta 4" (50mm, 75mm, 100mm) diametroan, orientazioa <111> edo <100. >, eta gisa moztutako, grabatu, leundu edo kalitate handiko epitaxia prest dauden akabera obleen gainazaleko akaberarekin.Xerra guztiak banan-banan laser bidez idatzita daude identitatea lortzeko.Bien bitartean, gallio polikristalinoa antimonioa GaSb koskorra ere pertsonalizatzen da irtenbide ezin hobea eskatuz gero.