FZ Siliziozko oblea

Deskribapena

FZ kristal bakarreko siliziozko olatua,Float-zone (FZ) Silizioa oso silizio purua da, eta flotatzaile bertikaleko fintze-teknologiak tiratutako oxigeno- eta karbono-ezpurutasun-kontzentrazio oso baxuarekin.FZ Floating Zone kristal bakarreko lingote hazteko metodo bat da, CZ metodoaren desberdina dena, non hazi kristala silizio polikristalinoaren lingotearen azpian atxikitzen dena, eta hazi kristalaren eta kristal polikristalinoaren silizioaren arteko muga RF bobinaren indukziozko berokuntzarekin urtzen da kristalizazio bakarrerako.RF bobina eta urtutako zona gorantz mugitzen dira, eta kristal bakar bat hazi-kristalaren gainean solidotzen da horren arabera.Float-guneko silizioa dopatzaileen banaketa uniformearekin, erresistentzia-aldakuntza txikiagoarekin, ezpurutasun-kopuru mugatuarekin, eramaile-bizitza handiarekin, erresistentzia-helburuarekin eta purutasun handiko silizioarekin bermatzen da.Float-zone silizioa Czochralski CZ prozesuan hazitako kristalen purutasun handiko alternatiba da.Metodo honen ezaugarriekin, FZ Single Crystal Silicon ezin hobea da gailu elektronikoen fabrikazioan erabiltzeko, hala nola diodoak, tiristoreak, IGBTak, MEMSak, diodoak, RF gailuak eta potentzia MOSFETak, edo bereizmen handiko partikula edo detektagailu optikoen substratu gisa. , potentzia-gailuak eta sentsoreak, eraginkortasun handiko eguzki-zelula eta abar.

Entrega

Western Minmetals (SC) Corporation-en FZ Single Crystal Silicon Wafer N-motako eta P-motako eroankortasuna 2, 3, 4, 6 eta 8 hazbeteko (50mm, 75mm, 100mm, 125mm, 150mm eta 200mm) tamainan eman daiteke eta orientazioa <100>, <110>, <111> As-cut, Lapped, grabatu eta leundutako gainazaleko akaberarekin apar-kutxa edo kasete baten paketean kanpoan kartoizko kaxa duena.