FZ NTD siliziozko oblea

Deskribapena

FZ-NTD Siliziozko oblea, Float-Zone Neutroien Transmutazio Dopatua Silizio Oblea bezala ezagutzen dena.Oxigenorik gabeko, purutasun handiko eta erresistentziarik handiena silizioa lor daiteke by Float-zone FZ (Zona-Floating) kristalen hazkundea, HErresistentzia handiko FZ silizio kristala Neutroien Transmutazio Dopinaren (NTD) prozesuaren bidez dopatzen da sarritan, dopatu gabeko eremu flotatzaileko silizioan neutroien irradiazioak neutroiekin harrapatutako silizio-isotopoak egiteko eta, ondoren, nahi diren dopanteetan desintegratzen dira dopinaren helburua lortzeko.Neutroien erradiazio-maila doitzearen bidez, erresistentzia alda daiteke kanpoko dopatzaileak sartu gabe eta, beraz, materialaren garbitasuna bermatuz.FZ NTD siliziozko obleek ( Float Zone Neutron Transmutation Doping Silicon) dopin kontzentrazio uniformearen eta erresistentzia erradialaren banaketa uniformearen propietate tekniko bikainak dituzte, ezpurutasun maila baxuenak,eta gutxiengo handiko garraiolarien iraupena.

Entrega

NTD silizioaren merkatuko hornitzaile nagusi gisa potentzia itxaropentsuetarako aplikazioetarako, eta kalitate goreneko obleen eskari gero eta handiagoari jarraituz, FZ NTD siliziozko oblea bikaina da.Western Minmetals (SC) Corporation-en gure bezeroei mundu osoko hainbat tamainatan eskain diezaieke 2″, 3″, 4″, 5″ eta 6″ diametroa (50mm, 75mm, 100mm, 125mm eta 150mm) eta erresistentzia sorta zabalean. 5 eta 2000 ohm.cm <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> orientazioetan moztuta, lapatuta, grabatuta eta leundutako gainazal-akabera apar-kutxa edo kasete paketean , edo soluzio perfekturako zehaztapen pertsonalizatu gisa.

Kontsulta orain

Xehetasunak

Etiketak

Zehaztapen Teknikoa

FZ NTD siliziozko oblea

FZ NTD silizioaren merkatuko hornitzaile nagusi gisa potentzia-aplikazio itxaropentsuetarako, eta kalitate goreneko obleen eskari gero eta handiagoari jarraituz, Western Minmetals (SC) Corporation-en FZ NTD siliziozko oblea bikaina eskain diezaieke gure bezeroei mundu osoko 2 tamainatan. ″ eta 6″ arteko diametroa (50, 75, 100, 125 eta 150 mm) eta 5 eta 2000 ohm-cm arteko erresistentzia sorta zabala <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- 0> orientazioak gainazaleko akabera lapatu, grabatu eta leunduarekin apar-kaxa edo kasete paketean, kanpoan kartoizko kutxan edo soluzio perfekturako zehaztapen pertsonalizatu gisa.

Ez.	Elementuak	Zehaztapen estandarra
1	Tamaina	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diametroa	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	Eroankortasuna	n motakoa	n motakoa	n motakoa	n motakoa	n motakoa
4	Orientazio	<100>, <111>, <110>
5	Lodiera μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 edo behar bezala
6	Erresistentzia Ω-cm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 edo behar bezala
7	RRV gehienez	%8, %10, %12
8	TTV μm max	10	10	10	10	10
9	Arku/Warp μm max	30	30	30	30	30
10	Eramailearen Bizi-iraupena μs	>200, >300, >400 edo behar bezala
11	Azalera akabera	Moztuta, makurtuta, leundua
12	Enbalatzea	Barruan apar-kutxa, kanpoan kartoizko kaxa.

Materialaren oinarrizko parametroa

Ikurra	Si
Zenbaki atomikoa	14
Pisu atomikoa	28.09
Elementu Kategoria	Metaloidea
Taldea, Aldia, Blokea	14, 3, or
Kristalezko egitura	Diamantea
Kolore	Gris iluna
Urtze-puntua	1414 °C, 1687,15 K
Irakite Puntua	3265 °C, 3538,15 K
300K-ko dentsitatea	2,329 g/cm³
Berezko erresistibitatea	3.2E5 Ω-cm
CAS zenbakia	7440-21-3
EC zenbakia	231-130-8

FZ-NTD Siliziozko obleaberebiziko garrantzia du potentzia handiko aplikazioetarako, detektagailuen teknologietan eta muturreko baldintzetan lan egin behar duten gailu erdieroaleetan edo oblean zehar erresistentzia-aldakuntza baxua behar den tokietan, hala nola, atea itzaltzeko tiristorea GTO, indukzio estatikoko tiristorea SITH, erraldoia. GTR transistorea, IGBT transistore bipolarra isolatu-atea, HV diodoaren PIN gehigarria.FZ NTD n-motako siliziozko oblea hainbat maiztasun-bihurgailu, zuzengailu, potentzia handiko kontrol-elementuetarako, potentzia-gailu elektroniko berrietarako, gailu fotoelektronikoetarako, siliziozko zuzengailurako SR, siliziozko kontrolerako SCRrako eta osagai optikoetarako, hala nola lenteak eta leihoak bezalako osagai funtzional gisa ere bada. terahertz aplikazioetarako.